17.11.2021 - 18.11.2021

Санкт-Петербург, Россия

 

В рамках школы будут рассмотрены особенности и свойства современных полупроводниковых лазеров, излучающих в широком диапазоне длин волн: (в том числе в инфракрасной и терагерцовой областях спектра). Будут обсуждаться различные конструкции полупроводниковых лазеров: с квантовыми ямами и квантовыми точками в активной области, а также очень перспективные квантово-каскадные лазеры - технология получения сложных полупроводниковых лазерных структур, используемых в квантово-каскадных лазерах, и последние достижения в этой области.

 

Будут сделаны доклады о вертикально-излучающих лазерах на основе работ, проводимых как в России, так и в Германии.

 

Будет представлен доклад о фотоприемниках для ближнего и среднего инфракрасного диапазонов спектра.

 

В нескольких докладах внимание будет уделено описанию современных подходов, используемых для моделирования лазерных источников излучения, а также особенностям формирования модовых структур

 

Подробно