ОРГАНИЗАТОРЫ

 

Федеральное государственное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Сибирское отделение Российской Академии Наук

 

КОНФЕРЕНЦИЯ ПРОВОДИТСЯ ПРИ СОДЕЙСТВИИ

 

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

 

Основные научные направления конференции:

 

Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.

Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.

Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки.

Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрики.

Двумерные, одномерные и нульмерные структуры на основе кремния.

Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, нанофотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений на основе спиновых кубитов.

Квантовые технологии на основе кремниевых структур, квантовые сенсоры.

Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.

Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.

Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, нанофотоники, силовой электроники, солнечной энергетики.

Кремниевые метаматериалы для управления функциональными характеристиками структур и приборов на их основе.

 

Программа конференции