Хотите первыми получать новости с сайта NanoPlatform.by? Это очень просто. Подпишитесь на 
Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2018" (ICMNE-2018) с расширенной сессией "Квантовая информатика"
01.10.2018 - 05.10.2018
Звенигород, Россия
Организаторы и спонсоры:
Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия
АО "НИИМЭ", Зеленоград, Россия
Российский фонд фундаментальных исследований, Москва, Россия
Oтделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
SPIE – The International Society for Optical Engineering
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
TechnoInfo Ltd., Wembley, UK
Компания НИКС, Москва, Россия
Тематика:
Физика микро- и наноразмерных приборов:
Проблемы и пути масштабирования наноразмерных приборов и интегральных схем.
Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные транзисторы и переключатели и т.д.
Интегральные устройства памяти: DRAM, ReRAM, FeRAM.
Приборы с 1D и 2D каналами.
Углеродная микро- и наноэлектроника.
Твердотельные приборы для THz генерации и детектирования.
Магнитные микро- и наноструктуры и приборы, спинтроника.
Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства.
Приборы оптоэлектроники, фотоники.
Сенсоры, микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS, BioMEMS).
Моделирование приборов.
Технология и характеризация материалов для микро- и наноэлектроники:
Si, SOI, SiGe, A3B5, A2B6.
High-k, low-k диэлектрики.
Металлические пленки в приборных структурах УБИС.
1D, 2D материалы.
Магнитные материалы, наномагнетики.
Материалы оптоэлектроники, фотовольтаики, метаматериалы.
Технологические процессы и перспективное технологическое оборудование микро- и наноэлектроники:
Литография: иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт.
Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС.
Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС.
Технологии 3D-интеграции интегральных схем.
Технология 2D материалов и структур для наноэлектроники (графен, MoS2, WS2 и др.
Технологии 1D структур (нанопровода, нанотрубки).
Технологии MEMS, NEMS, BioMEMS.
Технологии изготовления сверхпроводящих приборов.
Метрология:
Методы диагностики и управления технологическими процессами In situ (End-point детекторы, смарт-сенсоры).
Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур.
Квантовая информатика:
Квантовые компьютеры: теория и эксперимент.
Квантовые измерения.
Квантовые алгоритмы.
Квантовая связь.
Рабочий язык конференции – английский.
Информация о ICMNE-2016
Информация о ICMNE-2014
Информация о ICMNE-2012
Информация о ICMNE-2009
Информация о ICMNE-2007
Информация о ICMNE-2005
Информация о ICMNE-2003