27.05.2019 - 31.05.2019 

   Новосибирск, Россия

 

ОРГАНИЗАТОРЫ:

 

Федеральное государственное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук,

Национальный исследовательский новосибирский государственный университет,

Курорт-отель «Сосновка».

 

КОНФЕРЕНЦИЯ ПРОВОДИТСЯ ПРИ СОДЕЙСТВИИ

 

Федеральное агентство научных организаций,

Сибирское отделение РАН,

Российский фонд фундаментальных исследований.

 

Основные направления:

 

  методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;

  фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;

  фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);

  солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;

  полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;

  терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;

  физические основы элементной базы радиофотоники;

  приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;

  новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.