09.09.2019 - 13.09.2019

Академгородок, Новосибирск, Россия

 

ОРГАНИЗАТОРЫ:

 

Федеральное государственное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Национальный исследовательский новосибирский государственный университет

Отделение физических наук РАН

Научный совет РАН по физике полупроводников

Курорт-отель «Сосновка»

 

Основные разделы программы:

 

1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.

2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.

3. Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.

4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.

5. Нульмерные системы (квантовые точки, нанокристаллы): энергетический спектр, оптические свойства, туннельный транспорт.

6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.

7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.

8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).

9. Углеродные и графеноподобные наноматериалы, монослои дихалькогенидов переходных металлов, перовскиты, органические полупроводники, молекулярные системы.

10. Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника.

11. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.

12. Нано- и оптомеханика.

 

 

Подробно